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锑化镓（GaSb）太阳能电池和铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池是两种不同的薄膜太阳能电池技术，以下是这两种电池的基本工艺概述：
锑化镓太阳能电池工艺：
1、制备导电基底：通常使用不锈钢或玻璃作为基底，需要对其进行清洁处理，确保表面无杂质。
2、生长锑化镓薄膜：通过化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等方法，在基底上生长锑化镓薄膜，这个过程需要精确控制温度、压力、气体流量等参数，以获得高质量的薄膜。
3、制造PN结：通过扩散或合金化等方法，在锑化镓薄膜中形成PN结，这是太阳能电池实现光电转换的核心结构。
4、制备电极和抗反射层：在电池表面制备电极和抗反射层，以提高电池的光吸收效率和电学性能。
5、封装和测试：完成上述步骤后，进行电池的封装和性能测试，确保电池的性能达到预期。
铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池工艺：
1、制备柔性或刚性基底：CIGS电池可以在柔性基底上制备，也可以选择刚性基底，基底需要清洁和平整。
2、制备铜铟镓硒吸收层：通过共蒸发或硒化法等方法，在基底上制备铜铟镓硒薄膜，形成光吸收层。
3、制备窗口层和电极：在吸收层上制备硫化镉（CdS）等窗口层，以及金属电极。
4、制造背接触：在电池的背面制造背接触，以实现电流的收集。
5、封装和测试：完成上述步骤后，进行电池的封装和性能测试。
这两种电池工艺都需要精确的控制和优化的条件，以确保电池的性能和效率，这两种技术都在不断地发展中，新的工艺和材料不断涌现，以提高电池的性能和降低成本。
信息仅供参考，建议查阅最新的科研文献或咨询相关领域的专家，以获取更详细和准确的信息。